Belépés címtáras azonosítással
magyar nyelvű adatlap
Rádiófrekvenciás integrált áramkörök tervezése és alkalmazása I.
A tantárgy angol neve: Design and application of RF ICs
Adatlap utolsó módosítása: 2012. május 30.
Tantárgy lejárati dátuma: 2013. január 31.
Elektronika
A fenti forma a Neptun sajátja, ezen technikai okokból nem változtattunk.
A kötelező előtanulmányi rend az adott szak honlapján és képzési programjában található.
Tematikaütközés miatt a tárgyat csak azok vehetik fel, akik korábban nem hallgatták a következő tárgyakat: VIEEAV45 Rádiofrekvenciás integrált áramkörök tervezése és alkalmazása I.
1. hét.
Zajok fizikai forrásai, ellenállászaj, sörétzaj, árameloszlási zaj, rekombinációs zaj, flicker (villódzási) zaj. Ekvivalens zajgenerátorok, zajforrások összegezése, zajkorrelációk. Zajtényező, zajhőmérséklet.
2. hét
Aktív eszközök: Dióda nagyfrekvenciás működése. Keverődióda, Schottky dióda.
3. hét
PIN dióda. MOS FET, bipoláris tranzisztor, heteroátmenetes tranzisztor nagyfrekvenciás működése és kisjelű modellei. Különleges nagyfrekvenciás tranzisztorok:
4. hét
MESFET és HEMT. Működési alapelv, I-U karakterisztikák, nagyfrekvenciás viselkedés, határfrekvenciák. Eszközmodellek, zajtulajdonságok.
Passzív integrált áramköri elemek: integrált kapacitás, ellenállás, induktivitás, transzformátor. Felépítés, működése, karakterisztikák, nagyfrekvenciás modellek
5. hét
CMOS, BiCMOS, SiGe, III-V vegyületfélvezetős technológiák (GaAs, GaAlAs, InP, SiC, GaN)
6. hét
ESD védelem és RF problémái, latch-up
Alapáramkörök:
7. hét
bandgap referencia,
ptat áram, áramtükör,
differenciálerősítő,
8. hét
D/A(benne delta-sigma)
A/D
Keverő áramkörök (Gilbert cella, passzív keverő)
Kristályoszcillátorok
9. hét
Spectrum analizis
S paramétermérés
Zajmérés
Mérésautomatizálás
10. hét
· Bipoláris modellek (Gummel-Poon és VBIC részletesebben, Philips MEXTRAM és HICUM érintőlegesen)
· MOS tranzisztormodellek közül a BSIM3 ismertetése, illetve a miniatürizálás miatt fellépő új hatások bemutatása a BSIM4-ben
11. hét
· A tárgyalt modellek helyettesítő képének elemzése, majd a működést leíró egyenletek áttekintése, modellparaméterek csoportosítása
· Módszerek ismertetése a paraméterek meghatározására (DC és RF mérések + optimalizáció)
12. hét
· Tervezési módszerek (top-down, bottom-up)
· RF tervezést segítő rendszerek a különböző absztrakciós szinteken
13. hét
· Layout okozta paraziták, csatolások
· Tokozásból adódó paraziták
· Nyomtatott áramkörök parazitái
14. hét
Előadás, melyeken példákat is bemutatunk.
a. A szorgalmi időszakban: a tárgyból 1 nagy zárthelyi dolgozatot iratunk. Az aláírás megszerzésének és a vizsgára bocsátás feltétele a zh legalább elégséges szintű teljesítése.
b. A vizsgaidőszakban: Írásbeli vizsga
c. Elővizsga: Van
A zh pótlására a szemeszter végén egyszeri lehetőséget biztosítunk. Pót-pót zh a pótlási héten írható.
Vizsgák előtti napon, valamint az előadókkal való egyeztetés alapján.
S.M. Sze:High-Speed Semiconductor Devices, Wiley-Interscience Publication, 1990, ISBN
0-471-62307-5
B. Razotti: RF Microelectronics, Prentice Hall, 1998, ISBN 0-13-887571-5
.
Ezen kívül aktuális cikkek, konferenciaanyagok és az internet-en elérhető anyagok