Budapest University of Technology and Economics, Faculty of Electrical Engineering and Informatics

    Belépés
    címtáras azonosítással
    vissza a tantárgylistához   nyomtatható verzió    

    Nagysebességű és mikrohullámú félvezető eszközök

    A tantárgy angol neve: High Speed and Microwave Semiconductor Devices

    Adatlap utolsó módosítása: 2006. július 1.

    Tantárgy lejárati dátuma: 2009. november 24.

    Budapesti Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetem
    Villamosmérnöki és Informatikai Kar

    Villamosmérnöki Szak

    Műszaki Informatika Szak

    Választható tárgy
    Tantárgykód Szemeszter Követelmények Kredit Tantárgyfélév
    VIEE9329 6,7., 8, 9 4/0/0/v 5 1/1
    3. A tantárgyfelelős személy és tanszék Dr. Zólomy Imre,
    4. A tantárgy előadója

    Név:

    Beosztás:

    Tanszék, Int.:

    Dr.Zólomy Imre

    egyetemi tanár

    Elektronikus Eszközök Tsz.
    5. A tantárgy az alábbi témakörök ismeretére épít

    Elektronika, Mikroelektronika és technológia

    6. Előtanulmányi rend
    Ajánlott:

    Tematikaütközés miatt a tárgyat csak azok vehetik fel, akik korábban nem hallgatták a következő tárgyakat:

    -

    7. A tantárgy célkitűzése

    A tantárgy megismerteti a hallgatókkal az igen nagy frekvenciákon, a mikrohullámok tartományában felhasználható félvezető eszközök és integrált áramkörök fajtáit, fizikai működésük módját. Kitér az eszközök konstrukciós elveire, továbbá elektromos helyettesítő képeire és paramétereire is, így elősegíti ezen eszközök konstrukciója mellett a különböző áramkörökben történő felhasználásukat is.

    8. A tantárgy részletes tematikája
    • A mikrohullámú félvezető eszközök áttekintése. Bipoláris, MOS, Schottky-gátas, heteroátmenetes, tömbgátas eszközök, Si, SiGe, SiC, III-V valamint gyémánt alapú eszközök.
    • A mikrohullámú bipoláris tranzisztor. Az f határfrekvenciát befolyásoló tényezők. Maximális oszcillációs frekvencia.
    • Mikrohullámú tranzisztor konstrukciók. A heteroemitteres tranzisztor (III - V-ös valamint Si-Ge vegyeskristályos változatok).
    • A varaktor. Felépítés, az adalékprofil hatása a kapacitás feszültségfüggésére. Hiperabrupt átmenet. Helyettesítőkép.
    • A Schottky-dióda mint mikrohullámú elem. A bulk-barrier dióda.
    • A PIN dióda. Felépítés, nyitó és záróirányú viselkedés. Kisjelű helyettesítőképek. A töltéstároló dióda. A jelformálás felhasználása frekvenciasokszorozásra.
    • Mikrohullámú térvezérelt eszközök. A MOSFET nagyfrekvenciás és nagyteljesítményű alkalmazási lehetőségei. A MESFET felépítése, működése, helyettesítőképe, zajtulajdonságai. A heteroátmenetes HEMT működési elve, előnyei, összevetve a MESFET-tel. A mikrohullámú térvezérelt eszközök főbb alkalmazási területei.
    • Mikrohullámú nagyteljesítményű heteroátmenetes bipoláris tranzisztorok és térvezérelt eszközök.
    • Futásidőt hasznosító eszközök. Negatív ellenállás előállítása töltéscsomag futási effektusával. Az IMPATT, TRAPATT és BARITT diódák. Működési elv, admittancia meghatározása.
    • A mikrohullámú integrált áramkörök alapelemei. Passzív elemek (tápvonalak, induktivitások, kapacitások, ellenállások) kialakítása. Gyors digitális MESFET áramkörök. Többfokozatú integrált erősítők. Elosztott paraméterű erősítők, keverők.
    9. A tantárgy oktatásának módja (előadás, gyakorlat, laboratórium)

    Előadás

    10. Követelmények
    1. A szorgalmi időszakban: A félév folyamán a hallgatók két kis zárthelyit írnak. Az aláírás feltétele mindkét kis zárthelyi minimum elégséges szintű megírása. A megszerzett aláírás tárgyismétlés esetén a következő induló szemeszterben beszámítható.
    2. A vizsgaidőszakban: a vizsga szóbeli
    3. Elővizsga: min. jó kis zh. átlag esetén lehetséges.
    11. Pótlási lehetőségek

    Amennyiben a kis zárthelyik nem érik el külön-külön az elégséges osztályzatot, a félév végén javító zárthelyi írására lesz lehetőség. Ennek tematikája felöleli az egész félév anyagát. Vizsgaidőszakban zh-t pótolni a TVSz szerint lehetséges.

    12. Konzultációs lehetőségek

    Az előadóval történő személyes megbeszélés képezi a konzultáció alapját

    13. Jegyzet, tankönyv, felhasználható irodalom

    -Gottwald Péter: Mikrohullámú Félvezető eszközök. Műszaki Könyvkiadó1985.

    -Mojzes Imre: GaAs alapú monolit Integrált áramkörök. Műszaki Könyvkiadó1988

    14. A tantárgy elvégzéséhez átlagosan szükséges tanulmányi munka

    :

    Kontakt óra

    60

    Félévközi készülés órákra

    30

    Felkészülés zárthelyire

    30

    Házi feladat elkészítése

    Kijelölt írásos tananyag elsajátítása

    ..

    Vizsgafelkészülés

    30

    Összesen

    150
    15. A tantárgy tematikáját kidolgozta

    Név:

    Beosztás:

    Tanszék, Int.:

    Dr.Zólomy Imre

    egyetemi tanár

    Elektronikus Eszközök Tsz.